檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "材料科學與工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
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本論文的研究內容可以分成三個階段來探討，第一階段是利用SLS機制直接於矽基材上成長矽奈米線，實驗採用金顆粒作為催化劑，並使用石英管爐通入氫氬混合氣後加熱至850 ℃以上來成長矽奈米線，並改變溫度與持…
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摘要 由於石墨烯的單原子層高導電性、光學透明性、高機械強度以及可彎曲性，現今其被應用於光電元件、生物成像、化學感測器、光譜學和邏輯元件等領域。得益於石墨烯的良好載子遷移率、零能隙以及線性色散的能帶關…
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碳化矽(SiC)作為第三代半導體，由於其低功耗，高功率的特性和適合高壓，大電流的操作環境，使其成為電動車充電和5G基地台的基礎設備。但由於碳化矽材質偏硬脆，使得切割和研磨的難度大幅提升。在封裝後段製…
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